等离子体沉积和蚀刻半导体制造业

蚀刻和等离子体沉积过程是半导体制造业中最复杂的一个方面。这些过程的效率和产量有决定性影响的经济学半导体生产设备。

更广泛的半导体制造过程的概述,请参阅我们的博客。在这篇文章中,我们来看一个更集中的临界腐蚀和沉积阶段制造过程。

等离子体刻蚀和沉积是什么?

等离子体刻蚀和沉积是两个不同的过程,而是因为他们是如此密切相关,它们通常被称为相同的生产阶段。都是在真空中进行等离子体处理室使用等离子体产生氧气,氩气或其他气体由射频发生器兴奋。

简而言之,等离子体蚀刻是一种等离子体加工用于制造集成电路在半导体晶片上。在脉冲等离子体放电发射目标样本,与半导体材料和他们照相平版印刷品互动模式以去除多余的材料。这种高活性等离子体与表面分子反应的各向同性材料如硅,转化成气体,可以删除的真空室的通风系统。

等离子体沉积是指“plasma-assisted化学汽相淀积,”一个相关过程沉积薄膜半导体晶片制造过程中。这些电影是用来使照相平版印刷品的多层结构。在这个过程中,如二氧化硅(SiO介电绝缘材料₂)和氮化硅(Si₃N₄)是利用等离子体沉积。因为等离子体将能量直接到表面而不是依靠热转移,沉积在更低的温度下会发生比传统化学淀积技术。这个视频来自杜克大学提供了一个有用的这个过程的概述。

关键挑战的组件用于等离子体刻蚀和沉积设备

某些可消耗的设备组件,比如螺丝和薄片处理戒指,在等离子体室本身必须功能。在里面,他们暴露在各种各样的挑战要求包括:

• 站着等温度高达400°
• 避免在这些高温出气粒子。
• 表现出零离子污染(如。金属),可能使缺陷。
• 拥有强大的介电绝缘特性。

在这种情况下,昂贵的组件会很快磨损,并增加组件的寿命是一个重要的考虑半导体制造商。在历史上,很少有成本效益的聚合物能够满足上述技术要求。因此,Vespel®sp 1是一个无处不在的这些应用程序选择很多年了。

然而现在,Meldin®7001提供了一个可提供所有相同的关键性能特征Vespel®在一个非常有竞争力的价格。事实上,Meldin®展品10 - 14%更好的等离子体刻蚀电阻相比Vespel®sp 1。这个优势可以直接导致组件寿命长,减少了停机时间组件替换,并最终提高半导体制造商利润使用等离子体刻蚀和沉积过程。

为更深层次看Meldin®7001和特点使这种聚酰亚胺材料在真空等离子体室的极端环境,请看到我们的导游。